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En el presente trabajo se demuestra la ruta de fabricación de transistores de película delgada (TFT) tipo N como tipo P para dispositivos de electrónica flexible a partir de calcogenuros como capa activa semiconductora depositada por depósito de baño químico a temperaturas inferiores a 100 °C. La fabricación del TFT utiliza óxido de hafnio (HfO2) como dieléctrico de compuerta depositado vía Sputtering de forma local y cromo (Cr) como metal de contactos en estructura compuerta-inferior, contacto-superior (BGTC) y relaciones de ancho/largo de canal menor igual y mayor a la unidad. Se optimizó el proceso de fabricación de fotolitografía mediante la inserción de técnicas morfológicas a través de la perfilometría óptica y las caracterizaciones eléctricas de los semiconductores sintetizados mediante el método de cuatro puntas, efecto Hall y análisis de impedancias